MOSFET IXYS, canale Tipo N 600 V, 56 mΩ Miglioramento, 90 A, 4 Pin, SOT-227, Pannello

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

42,97 €

(IVA esclusa)

52,42 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • 79 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 142,97 €
2 - 442,11 €
5 +40,83 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
804-7596
Codice Distrelec:
302-53-359
Codice costruttore:
IXFN110N60P3
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

SOT-227

Tipo montaggio

Pannello

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

56mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

245nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.5kW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

38.23mm

Larghezza

25.07 mm

Altezza

9.6mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

30253359

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar3™ IXYS


Gamma di MOSFET di potenza a canale N serie Polar3™ IXYS con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™)

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati