MOSFET IXYS, canale Tipo N 850 V, 41 mΩ Miglioramento, 90 A, 4 Pin, SOT-227, Superficie
- Codice RS:
- 146-4386
- Codice Distrelec:
- 302-53-382
- Codice costruttore:
- IXFN90N85X
- Costruttore:
- IXYS
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
56,57 €
(IVA esclusa)
69,02 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Ultimi pezzi su RS
- 1 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Ultime 10 unità in spedizione dal 10 giugno 2026
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 1 | 56,57 € |
| 2 - 4 | 55,43 € |
| 5 + | 53,75 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 146-4386
- Codice Distrelec:
- 302-53-382
- Codice costruttore:
- IXFN90N85X
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 90A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 850V | |
| Serie | HiperFET | |
| Tipo di package | SOT-227 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 41mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 340nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.2kW | |
| Tensione diretta Vf | 1.4V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 9.6mm | |
| Larghezza | 25.07 mm | |
| Lunghezza | 38.23mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Distrelec Product Id | 30253382 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 90A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 850V | ||
Serie HiperFET | ||
Tipo di package SOT-227 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 41mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 340nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.2kW | ||
Tensione diretta Vf 1.4V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 9.6mm | ||
Larghezza 25.07 mm | ||
Lunghezza 38.23mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Distrelec Product Id 30253382 | ||
I MOSFET di potenza 850V Ultra-Junction X-Class con diodi del corpo rapidi rappresentano una nuova linea di prodotti con semiconduttore firmati IXYS Corporation. Questi dispositivi robusti vantano le resistenze in stato attivo più basse del settore, consentendo un'elevata densità di potenza in applicazioni di conversione di potenza ad alta tensione. Sviluppati impiegando il principio di compensazione di carica e la tecnologia di processi proprietari, i nuovi dispositivi 850V mostrano le resistenze in stato attivo più basse (33 milliohm nel contenitore SOT-227 e 41 milliohm nel PLUS264, ad esempio), oltre a cariche basse di gate e rendimento dv/dt eccellente.
RDS(ON) resistenza bassissima in stato attivo e Qg di carica del gate
Diodo rapido
Resistenza dv/dt
Classificazione Avalanche
Contenitore a bassa induttanza
Contenitori standard internazionali
Link consigliati
- MOSFET IXYS 41 mΩ SOT-227, Montaggio a vite
- MOSFET IXYS 56 mΩ SOT-227, Montaggio a vite
- MOSFET IXYS 600 mΩ SOT-227, Montaggio a vite
- MOSFET IXYS 33 mΩ SOT-227, Montaggio a vite
- MOSFET IXYS 85 mΩ SOT-227, Montaggio a vite
- MOSFET IXYS 320 mΩ SOT-227, Montaggio a vite
- MOSFET IXYS 39 mΩ SOT-227, Montaggio a vite
- MOSFET IXYS 11 mΩ SOT-227, Montaggio a vite