MOSFET IXYS, canale Tipo N 850 V, 41 mΩ Miglioramento, 90 A, 4 Pin, SOT-227, Superficie
- Codice RS:
- 146-4386
- Codice Distrelec:
- 302-53-382
- Codice costruttore:
- IXFN90N85X
- Costruttore:
- IXYS
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 unità*
56,57 €
(IVA esclusa)
69,02 €
(IVA inclusa)
Aggiungi 2 unità per ottenere la consegna gratuita
Ultimi pezzi su RS
- 1 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 - 1 | 56,57 € |
| 2 - 4 | 55,43 € |
| 5 + | 53,75 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 146-4386
- Codice Distrelec:
- 302-53-382
- Codice costruttore:
- IXFN90N85X
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 90A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 850V | |
| Serie | HiperFET | |
| Tipo di package | SOT-227 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 41mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.2kW | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.4V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 340nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 38.23mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 9.6mm | |
| Larghezza | 25.07 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 90A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 850V | ||
Serie HiperFET | ||
Tipo di package SOT-227 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 41mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.2kW | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.4V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 340nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 38.23mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 9.6mm | ||
Larghezza 25.07 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
I MOSFET di potenza 850V Ultra-Junction X-Class con diodi del corpo rapidi rappresentano una nuova linea di prodotti con semiconduttore firmati IXYS Corporation. Questi dispositivi robusti vantano le resistenze in stato attivo più basse del settore, consentendo un'elevata densità di potenza in applicazioni di conversione di potenza ad alta tensione. Sviluppati impiegando il principio di compensazione di carica e la tecnologia di processi proprietari, i nuovi dispositivi 850V mostrano le resistenze in stato attivo più basse (33 milliohm nel contenitore SOT-227 e 41 milliohm nel PLUS264, ad esempio), oltre a cariche basse di gate e rendimento dv/dt eccellente.
RDS(ON) resistenza bassissima in stato attivo e Qg di carica del gate
Diodo rapido
Resistenza dv/dt
Classificazione Avalanche
Contenitore a bassa induttanza
Contenitori standard internazionali
Link consigliati
- MOSFET IXYS 41 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie IXFN90N85X
- MOSFET IXYS 33 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie
- MOSFET IXYS 33 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie IXFN110N85X
- MOSFET IXYS 41 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET IXYS 56 mΩ Miglioramento 4 Pin Pannello
- MOSFET IXYS 41 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IXFB90N85X
- MOSFET IXYS 56 mΩ Miglioramento 4 Pin Pannello IXFN110N60P3
- MOSFET IXYS 18 mΩ Miglioramento 4 Pin Pannello