MOSFET IXYS, canale Tipo N 850 V, 41 mΩ Miglioramento, 90 A, 4 Pin, SOT-227, Superficie
- Codice RS:
- 146-4386
- Codice Distrelec:
- 302-53-382
- Codice costruttore:
- IXFN90N85X
- Costruttore:
- IXYS
Prezzo per 1 unità*
36,92 €
(IVA esclusa)
45,04 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Ultimi pezzi su RS
- 1 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità | Per unità |
|---|---|
| 1 + | 36,92 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 146-4386
- Codice Distrelec:
- 302-53-382
- Codice costruttore:
- IXFN90N85X
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 90A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 850V | |
| Tipo di package | SOT-227 | |
| Serie | HiperFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 41mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 340nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.2kW | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.4V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 38.23mm | |
| Altezza | 9.6mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 90A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 850V | ||
Tipo di package SOT-227 | ||
Serie HiperFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 41mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 340nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.2kW | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.4V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 38.23mm | ||
Altezza 9.6mm | ||
Standard automobilistico No | ||
I MOSFET di potenza 850V Ultra-Junction X-Class con diodi del corpo rapidi rappresentano una nuova linea di prodotti con semiconduttore firmati IXYS Corporation. Questi dispositivi robusti vantano le resistenze in stato attivo più basse del settore, consentendo un'elevata densità di potenza in applicazioni di conversione di potenza ad alta tensione. Sviluppati impiegando il principio di compensazione di carica e la tecnologia di processi proprietari, i nuovi dispositivi 850V mostrano le resistenze in stato attivo più basse (33 milliohm nel contenitore SOT-227 e 41 milliohm nel PLUS264, ad esempio), oltre a cariche basse di gate e rendimento dv/dt eccellente.
RDS(ON) resistenza bassissima in stato attivo e Qg di carica del gate
Diodo rapido
Resistenza dv/dt
Classificazione Avalanche
Contenitore a bassa induttanza
Contenitori standard internazionali
Link consigliati
- MOSFET IXYS 41 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie IXFN90N85X
- MOSFET IXYS 33 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie
- MOSFET IXYS 33 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie IXFN110N85X
- MOSFET IXYS 56 mΩ Miglioramento 4 Pin Pannello
- MOSFET IXYS 41 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET IXYS 56 mΩ Miglioramento 4 Pin Pannello IXFN110N60P3
- MOSFET IXYS 41 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IXFB90N85X
- MOSFET IXYS 11 mΩ Miglioramento 4 Pin Superficie