MOSFET IXYS, canale N 850 V, 41 mΩ Miglioramento, 90 A, 3 Pin, PLUS264, Foro passante
- Codice RS:
- 146-4383
- Codice Distrelec:
- 302-53-305
- Codice costruttore:
- IXFB90N85X
- Costruttore:
- IXYS
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- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 90A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 850V | |
| Serie | HiperFET | |
| Tipo di package | PLUS264 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 41mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 340nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 1.4V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.79kW | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 26.59mm | |
| Larghezza | 5.31mm | |
| Lunghezza | 20.29mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 90A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 850V | ||
Serie HiperFET | ||
Tipo di package PLUS264 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 41mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 340nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 1.4V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.79kW | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 26.59mm | ||
Larghezza 5.31mm | ||
Lunghezza 20.29mm | ||
Standard automobilistico No | ||
I MOSFET di potenza 850V Ultra-Junction X-Class con diodi del corpo rapidi rappresentano una nuova linea di prodotti con semiconduttore firmati IXYS Corporation. Questi dispositivi robusti vantano le resistenze in stato attivo più basse del settore, consentendo un'elevata densità di potenza in applicazioni di conversione di potenza ad alta tensione. Sviluppati impiegando il principio di compensazione di carica e la tecnologia di processi proprietari, i nuovi dispositivi 850V mostrano le resistenze in stato attivo più basse (33 milliohm nel contenitore SOT-227 e 41 milliohm nel PLUS264, ad esempio), oltre a cariche basse di gate e rendimento dv/dt eccellente.
RDS(ON) resistenza bassissima in stato attivo e Qg di carica del gate
Diodo rapido
Resistenza dv/dt
Classificazione Avalanche
Contenitore a bassa induttanza
Contenitori standard internazionali
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