MOSFET IXYS, canale Tipo N 600 V, 56 mΩ Miglioramento, 110 A, 3 Pin, PLUS264, Foro passante

Prezzo per 1 tubo da 25 unità*

514,975 €

(IVA esclusa)

628,275 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 07 ottobre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
25 +20,599 €514,98 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
168-4726
Codice costruttore:
IXFB110N60P3
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

PLUS264

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

56mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

245nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.89kW

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

20.29mm

Larghezza

5.31 mm

Altezza

26.59mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
US

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar3™ IXYS


Gamma di MOSFET di potenza a canale N serie Polar3™ IXYS con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™)

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati