MOSFET IXYS, canale N, 56 mΩ, 110 A, PLUS264, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 56 mΩ, 110 A, PLUS264, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 802-4344
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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	110 A
Tensione massima drain source	600 V
Tipo di package	PLUS264
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	56 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	1,89 kW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	20.29mm
Carica gate tipica @ Vgs	245 nC a 10 V
Larghezza	5.31mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	26.59mm

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