1 MOSFET IXYS Singolo, canale N, 75 mΩ, 82 A 600 V, PLUS264, Foro passante Miglioramento, 3 Pin IXFB82N60Q3
- Codice RS:
- 801-1370
- Codice costruttore:
- IXFB82N60Q3
- Costruttore:
- IXYS
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- Codice RS:
- 801-1370
- Codice costruttore:
- IXFB82N60Q3
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
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Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 82A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 600V | |
| Serie | HiperFET, Q3-Class | |
| Tipo di package | PLUS264 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 75mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -30V, +30V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 1.56kW | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 26.59mm | |
| Lunghezza | 20.29mm | |
| Larghezza | 5.31mm | |
| Numero elementi per chip | 1 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 82A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 600V | ||
Serie HiperFET, Q3-Class | ||
Tipo di package PLUS264 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 75mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -30V, +30V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 1.56kW | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 26.59mm | ||
Lunghezza 20.29mm | ||
Larghezza 5.31mm | ||
Numero elementi per chip 1 | ||
MOSFET di potenza a canale N, serie IXYS HiperFETTM Q3
I MOSFET di potenza HiperFETTM classe Q3 di IXYS sono adatti sia per le applicazioni a commutazione rigida che in modalità risonante e offrono una bassa carica di gate con un'eccezionale robustezza. I dispositivi incorporano un diodo intrinseco rapido e sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati, con valori nominali fino a 1100 V e 70 A. Le applicazioni tipiche includono convertitori c.c.-c.c., caricabatterie, alimentatori in modalità switching e in modalità risonante, interruttori c.c., controllo della temperatura e dell'illuminazione.
Diodo raddrizzatore intrinseco Fast
Basso RDS(on) e QG (carica gate)
Bassa resistenza intrinseca del gate
Contenitori standard industriali
Bassa induttanza del contenitore
Elevata densità di potenza
Transistor MOSFET, IXYS
Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzati di IXYS
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