1 MOSFET IXYS Singolo, canale Tipo N, 82 A 600 V, PLUS264, Foro passante Miglioramento, 3 Pin IXFB82N60Q3

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Codice RS:
168-4696
Codice costruttore:
IXFB82N60Q3
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

82A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Serie

HiperFET, Q3-Class

Tipo di package

PLUS264

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Singolo

Lunghezza

20.29mm

Altezza

26.59mm

Larghezza

5.31 mm

Numero elementi per chip

1

Paese di origine:
US

MOSFET di potenza a canale N, serie IXYS HiperFETTM Q3


I MOSFET di potenza HiperFETTM classe Q3 di IXYS sono adatti sia per le applicazioni a commutazione rigida che in modalità risonante e offrono una bassa carica di gate con un'eccezionale robustezza. I dispositivi incorporano un diodo intrinseco rapido e sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati, con valori nominali fino a 1100 V e 70 A. Le applicazioni tipiche includono convertitori c.c.-c.c., caricabatterie, alimentatori in modalità switching e in modalità risonante, interruttori c.c., controllo della temperatura e dell'illuminazione.

Diodo raddrizzatore intrinseco Fast

Basso RDS(on) e QG (carica gate)

Bassa resistenza intrinseca del gate

Contenitori standard industriali

Bassa induttanza del contenitore

Elevata densità di potenza

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzati di IXYS

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