MOSFET IXYS, canale N, 14,5 mΩ, 210 A, PLUS264, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 14,5 mΩ, 210 A, PLUS264, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 920-0987
Price: 19.96 EUR
Availability: InStock

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 25)**

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Unità	Per unità	Per stecca**
25 +	16,364 €	409,10 €

**prezzo indicativo

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	210 A
Tensione massima drain source	300 V
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo di package	PLUS264
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	14,5 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	1,89 kW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Carica gate tipica @ Vgs	268 nC a 10 V
Lunghezza	20.29mm
Materiale del transistor	Si
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Larghezza	5.31mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	26.59mm

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