MOSFET IXYS, canale Tipo N 300 V, 14.5 mΩ Miglioramento, 192 A, 4 Pin, SOT-227, Pannello IXFN210N30P3

Prezzo per 1 tubo da 10 unità*

356,32 €

(IVA esclusa)

434,71 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 240 unità in spedizione dal 07 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
10 +35,632 €356,32 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
177-5342
Codice costruttore:
IXFN210N30P3
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

192A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

300V

Tipo di package

SOT-227

Tipo montaggio

Pannello

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

268nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.5kW

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

38.23mm

Altezza

9.6mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

25.07 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar3™ IXYS


Gamma di MOSFET di potenza a canale N serie Polar3™ IXYS con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™)

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati