MOSFET IXYS, canale Tipo N 1 kV, 600 mΩ Miglioramento, 22 A, 4 Pin, SOT-227, Pannello

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

62,83 €

(IVA esclusa)

76,65 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 5 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 162,83 €
2 - 455,35 €
5 - 953,90 €
10 - 1952,52 €
20 +51,21 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
686-7865
Codice Distrelec:
302-53-431
Codice costruttore:
IXTN22N100L
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

22A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1kV

Serie

Linear

Tipo di package

SOT-227

Tipo montaggio

Pannello

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

600mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

270nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

700W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

38.2mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

9.6mm

Larghezza

25.07 mm

Distrelec Product Id

30253431

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, IXYS serie lineare


MOSFET di potenza canale N progettato specificamente per il funzionamento lineare. Questi dispositivi sono caratterizzati da polarizzazione estesa in avanti (FBSOA) per una maggiore robustezza e affidabilità.

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati