MOSFET IXYS, canale Tipo N 1 kV, 600 mΩ Miglioramento, 22 A, 4 Pin, SOT-227, Pannello IXTN22N100L

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Codice RS:
168-4610
Codice costruttore:
IXTN22N100L
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

22A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1kV

Tipo di package

SOT-227

Serie

Linear

Tipo montaggio

Pannello

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

600mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

270nC

Tensione diretta Vf

1.5V

Dissipazione di potenza massima Pd

700W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

25.07 mm

Altezza

9.6mm

Lunghezza

38.2mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
US

MOSFET di potenza a canale N, IXYS serie lineare


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