MOSFET IXYS, canale N, 70 mΩ, 66 A, SOT-227, Montaggio a vite
- Codice RS:
- 804-7603
- Codice costruttore:
- IXFN80N60P3
- Costruttore:
- IXYS
Prodotto al momento non disponibile. La consegna avverrà entro 4 giorni lavorativi a partire dal 07/01/2025.
Aggiunto
Prezzo per Unità
29,22 €
(IVA esclusa)
35,65 €
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità |
| 1 - 1 | 29,22 € |
| 2 - 4 | 28,62 € |
| 5 + | 27,76 € |
- Codice RS:
- 804-7603
- Codice costruttore:
- IXFN80N60P3
- Costruttore:
- IXYS
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar3™ IXYS
Gamma di MOSFET di potenza a canale N serie Polar3™ IXYS con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™)
Transistor MOSFET, IXYS
Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 66 A |
| Tensione massima drain source | 600 V |
| Serie | HiperFET, Polar3 |
| Tipo di package | SOT-227 |
| Tipo di montaggio | Montaggio a vite |
| Numero pin | 4 |
| Resistenza massima drain source | 70 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 5V |
| Dissipazione di potenza massima | 960 W |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Carica gate tipica @ Vgs | 190 nC @ 10 V |
| Larghezza | 25.07mm |
| Materiale del transistor | Si |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Lunghezza | 38.23mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Altezza | 9.6mm |
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