MOSFET IXYS, canale Tipo N 500 V, 65 mΩ Miglioramento, 66 A, 4 Pin, SOT-227, Pannello
- Codice RS:
- 920-0745
- Codice costruttore:
- IXFN80N50P
- Costruttore:
- IXYS
Prezzo per 1 tubo da 10 unità*
268,63 €
(IVA esclusa)
327,73 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- 20 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 10 + | 26,863 € | 268,63 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 920-0745
- Codice costruttore:
- IXFN80N50P
- Costruttore:
- IXYS
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | IXYS | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 66A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 500V | |
| Tipo di package | SOT-227 | |
| Tipo montaggio | Pannello | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 65mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30 V | |
| Tensione diretta Vf | 1.5V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 195nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 700W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Altezza | 9.6mm | |
| Larghezza | 25.07 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 38.2mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio IXYS | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 66A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 500V | ||
Tipo di package SOT-227 | ||
Tipo montaggio Pannello | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 65mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V | ||
Tensione diretta Vf 1.5V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 195nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 700W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Altezza 9.6mm | ||
Larghezza 25.07 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 38.2mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS
MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS
Transistor MOSFET, IXYS
Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS
Link consigliati
- MOSFET IXYS 65 mΩ SOT-227, Montaggio a vite
- MOSFET IXYS 70 mΩ SOT-227, Montaggio a vite
- MOSFET IXYS 65 mΩ SOT-227, Montaggio a vite
- MOSFET IXYS 600 mΩ SOT-227, Montaggio a vite
- MOSFET IXYS 33 mΩ SOT-227, Montaggio a vite
- MOSFET IXYS 56 mΩ SOT-227, Montaggio a vite
- MOSFET IXYS 85 mΩ SOT-227, Montaggio a vite
- MOSFET IXYS 320 mΩ SOT-227, Montaggio a vite
