MOSFET IXYS, canale Tipo N 850 V, 41 mΩ Miglioramento, 90 A, 4 Pin, SOT-227, Superficie IXFN90N85X

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Codice RS:
146-4248
Codice costruttore:
IXFN90N85X
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

850V

Serie

HiperFET

Tipo di package

SOT-227

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

41mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.2kW

Tensione diretta Vf

1.4V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

340nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

25.07 mm

Altezza

9.6mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

38.23mm

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza 850V Ultra-Junction X-Class con diodi del corpo rapidi rappresentano una nuova linea di prodotti con semiconduttore firmati IXYS Corporation. Questi dispositivi robusti vantano le resistenze in stato attivo più basse del settore, consentendo un'elevata densità di potenza in applicazioni di conversione di potenza ad alta tensione. Sviluppati impiegando il principio di compensazione di carica e la tecnologia di processi proprietari, i nuovi dispositivi 850V mostrano le resistenze in stato attivo più basse (33 milliohm nel contenitore SOT-227 e 41 milliohm nel PLUS264, ad esempio), oltre a cariche basse di gate e rendimento dv/dt eccellente.

RDS(ON) resistenza bassissima in stato attivo e Qg di carica del gate

Diodo rapido

Resistenza dv/dt

Classificazione Avalanche

Contenitore a bassa induttanza

Contenitori standard internazionali

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