MOSFET IXYS, canale Tipo N 850 V, 33 mΩ Miglioramento, 110 A, 4 Pin, SOT-227, Superficie IXFN110N85X

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 tubo da 10 unità*

737,56 €

(IVA esclusa)

899,82 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 04 gennaio 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
10 +73,756 €737,56 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
146-4249
Codice costruttore:
IXFN110N85X
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

850V

Serie

HiperFET

Tipo di package

SOT-227

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

33mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.4V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

425nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.17kW

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

25.07 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

38.23mm

Altezza

9.6mm

Standard automobilistico

No

I MOSFET di potenza 850V Ultra-Junction X-Class con diodi del corpo rapidi rappresentano una nuova linea di prodotti con semiconduttore firmati IXYS Corporation. Questi dispositivi robusti vantano le resistenze in stato attivo più basse del settore, consentendo un'elevata densità di potenza in applicazioni di conversione di potenza ad alta tensione. Sviluppati impiegando il principio di compensazione di carica e la tecnologia di processi proprietari, i nuovi dispositivi 850V mostrano le resistenze in stato attivo più basse (33 milliohm nel contenitore SOT-227 e 41 milliohm nel PLUS264, ad esempio), oltre a cariche basse di gate e rendimento dv/dt eccellente.

RDS(ON) resistenza bassissima in stato attivo e Qg di carica del gate

Diodo rapido

Resistenza dv/dt

Classificazione Avalanche

Contenitore a bassa induttanza

Contenitori standard internazionali

Link consigliati