MOSFET IXYS, canale Tipo N 850 V, 33 mΩ Miglioramento, 110 A, 4 Pin, SOT-227, Superficie

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Codice RS:
146-4396
Codice Distrelec:
302-53-360
Codice costruttore:
IXFN110N85X
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

110A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

850V

Tipo di package

SOT-227

Serie

HiperFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

33mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.4V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

425nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1.17kW

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

25.07 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

38.23mm

Altezza

9.6mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

30253360

I MOSFET di potenza 850V Ultra-Junction X-Class con diodi del corpo rapidi rappresentano una nuova linea di prodotti con semiconduttore firmati IXYS Corporation. Questi dispositivi robusti vantano le resistenze in stato attivo più basse del settore, consentendo un'elevata densità di potenza in applicazioni di conversione di potenza ad alta tensione. Sviluppati impiegando il principio di compensazione di carica e la tecnologia di processi proprietari, i nuovi dispositivi 850V mostrano le resistenze in stato attivo più basse (33 milliohm nel contenitore SOT-227 e 41 milliohm nel PLUS264, ad esempio), oltre a cariche basse di gate e rendimento dv/dt eccellente.

RDS(ON) resistenza bassissima in stato attivo e Qg di carica del gate

Diodo rapido

Resistenza dv/dt

Classificazione Avalanche

Contenitore a bassa induttanza

Contenitori standard internazionali

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