MOSFET IXYS, canale N, 140 mΩ, 53 A, SOT-227, Montaggio a vite
- Codice RS:
- 194-350
- Codice costruttore:
- IXFN60N80P
- Costruttore:
- IXYS
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Prezzo per Unità
€ 36,20
(IVA esclusa)
€ 44,16
(IVA inclusa)
| Unità | Per unità |
| 1 - 1 | € 36,20 |
| 2 - 4 | € 30,52 |
| 5 - 9 | € 29,00 |
| 10 - 19 | € 28,09 |
| 20 + | € 27,41 |
- Codice RS:
- 194-350
- Codice costruttore:
- IXFN60N80P
- Costruttore:
- IXYS
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS
MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS
Transistor MOSFET, IXYS
Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 53 A |
| Tensione massima drain source | 800 V |
| Tipo di package | SOT-227 |
| Tipo di montaggio | Montaggio a vite |
| Numero pin | 4 |
| Resistenza massima drain source | 140 mΩ |
| Modalità del canale | Enhancement |
| Tensione di soglia gate massima | 5V |
| Dissipazione di potenza massima | 1,04 kW |
| Configurazione transistor | Singolo |
| Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
| Materiale del transistor | Si |
| Massima temperatura operativa | +150 °C |
| Numero di elementi per chip | 1 |
| Carica gate tipica @ Vgs | 250 nC a 10 V |
| Larghezza | 25.42mm |
| Lunghezza | 38.23mm |
| Altezza | 9.6mm |
| Minima temperatura operativa | -55 °C |
| Serie | HiperFET, Polar |