MOSFET IXYS, canale Tipo N 800 V, 140 mΩ Miglioramento, 53 A, 4 Pin, SOT-227, Pannello IXFN60N80P

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Codice RS:
194-350
Codice Distrelec:
302-53-376
Codice costruttore:
IXFN60N80P
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

53A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

SOT-227

Serie

HiperFET, Polar

Tipo montaggio

Pannello

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

140mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

1.04kW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

250nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.5V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

25.42mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

38.23mm

Altezza

9.6mm

Standard automobilistico

No

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