- Codice RS:
- 194-350
- Codice costruttore:
- IXFN60N80P
- Costruttore:
- IXYS
Visualizza MOSFET
3 Disponibile per la consegna entro 1 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa/UK)
Prezzo per Unità
€ 36,20
(IVA esclusa)
€ 44,16
(IVA inclusa)
Unità | Per unità |
1 - 1 | € 36,20 |
2 - 4 | € 30,52 |
5 - 9 | € 29,00 |
10 - 19 | € 28,09 |
20 + | € 27,41 |
- Codice RS:
- 194-350
- Codice costruttore:
- IXFN60N80P
- Costruttore:
- IXYS
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS
MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS
Transistor MOSFET, IXYS
Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS
Specifiche
Attributo | Valore |
---|---|
Tipo di canale | N |
Corrente massima continuativa di drain | 53 A |
Tensione massima drain source | 800 V |
Tipo di package | SOT-227 |
Tipo di montaggio | Montaggio a vite |
Numero pin | 4 |
Resistenza massima drain source | 140 mΩ |
Modalità del canale | Enhancement |
Tensione di soglia gate massima | 5V |
Dissipazione di potenza massima | 1,04 kW |
Configurazione transistor | Singolo |
Tensione massima gate source | -30 V, +30 V |
Materiale del transistor | Si |
Massima temperatura operativa | +150 °C |
Numero di elementi per chip | 1 |
Carica gate tipica @ Vgs | 250 nC a 10 V |
Larghezza | 25.42mm |
Lunghezza | 38.23mm |
Altezza | 9.6mm |
Minima temperatura operativa | -55 °C |
Serie | HiperFET, Polar |