MOSFET IXYS, canale Tipo N 800 V, 140 mΩ Miglioramento, 53 A, 4 Pin, SOT-227, Pannello IXFN60N80P

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

43,50 €

(IVA esclusa)

53,07 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 51 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
  • Più 387 unità in spedizione dal 12 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 143,50 €
2 - 437,37 €
5 - 936,38 €
10 - 1935,45 €
20 +34,56 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
194-350
Codice Distrelec:
302-53-376
Codice costruttore:
IXFN60N80P
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

53A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

SOT-227

Tipo montaggio

Pannello

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

140mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.04kW

Tensione diretta Vf

1.5V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

250nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

25.42 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

38.23mm

Altezza

9.6mm

Distrelec Product Id

30253376

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS


MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati