MOSFET IXYS, canale N 650 V, 17 mΩ Miglioramento, 145 A, 4 Pin, SOT-227, Superficie IXFN150N65X2

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Codice RS:
146-4239
Codice costruttore:
IXFN150N65X2
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

145A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Serie

HiperFET

Tipo di package

SOT-227

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

17mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.4V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

335nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

1.04kW

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

25.07mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

38.23mm

Altezza

9.6mm

Standard automobilistico

No

Bassa resistenza RDS(ON) e QG

Diodo rapido

Resistenza dv/dt

Classificazione Avalanche

Contenitore a bassa induttanza

Contenitori standard internazionali

Alimentatori switching risonanti

Scarica ad alta intensità (HID) e resistenza delle lampadine

Azionamenti per motori c.a. e c.c.

Convertitori cc-cc

Robotica e controllo servo

Caricabatterie

Inverter solari a 3 livelli

Illuminazione a LED

Veicoli aerei senza equipaggio (UAV)

Maggiore efficienza

Alta densità di potenza

Facile da montare

Risparmio di spazio

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