MOSFET IXYS, canale Tipo N 650 V, 145 mΩ Miglioramento, 22 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
168-4819
Codice costruttore:
IXFA22N65X2
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

22A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

145mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

37nC

Dissipazione di potenza massima Pd

390W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.4V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

11.05 mm

Lunghezza

10.41mm

Altezza

4.83mm

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
US

MOSFET di potenza a canale N, HiPerFET™ serie IXYS X2


La serie di MOSFET di potenza HiPerFET classe X2 IXYS offre una carica significativamente ridotta su resistenza e di gate rispetto alle precedenti generazioni di MOSFET di potenza, per minori perdite e una maggiore efficienza operativa. Questi robusti dispositivi incorporano un diodo intrinseco migliorato ad alta velocità e sono adatti per le applicazioni sia con modalità di commutazione hard che di risonanza. I MOSFET di potenza di classe X2 sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali fino a 120 A a 650 V. Le applicazioni tipiche includono: convertitori c.c./c.c., azionamenti per motori c.a e c.c., alimentatori switching e con modalità di risonanza, chopper c.c., inverter solari, controllo della temperatura e dell'illuminazione.

RDS(on) e QG (carica gate) molto ridotti

Diodo raddrizzatore intrinseco rapido

Bassa resistenza di gate intrinseca

Contenitore a bassa induttanza

Contenitori conformi allo standard industriale

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

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