MOSFET IXYS, canale N, 145 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro

Name: MOSFET IXYS, canale N, 145 mΩ, 50 A, TO-247, Su foro
Brand: IXYS
SKU: 168-4731
Price: 10.96 EUR
Availability: OutOfStock

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Prezzo per Cadauno (in una stecca da 30)

8,981 €

(IVA esclusa)

10,957 €

(IVA inclusa)

Unità	Per unità	Per stecca*
30 +	8,981 €	269,43 €

*prezzo indicativo

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Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	50 A
Tensione massima drain source	600 V
Serie	HiperFET, Q3-Class
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	145 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	1,04 kW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	16.26mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.3mm
Carica gate tipica @ Vgs	94 nC a 10 V
Altezza	21.46mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	50 A
Tensione massima drain source	600 V
Serie	HiperFET, Q3-Class
Tipo di package	TO-247
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	145 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	5V
Dissipazione di potenza massima	1,04 kW
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-30 V, +30 V
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	16.26mm
Massima temperatura operativa	+150 °C
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	5.3mm
Carica gate tipica @ Vgs	94 nC a 10 V
Altezza	21.46mm
Minima temperatura operativa	-55 °C