MOSFET IXYS, canale Tipo N 600 V, 270 mΩ Miglioramento, 26 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IXFH26N60P

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

10,38 €

(IVA esclusa)

12,66 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 5 unità in spedizione dal 29 dicembre 2025
  • Più 47 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 510,38 €
6 - 148,96 €
15 +8,52 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
194-451
Codice Distrelec:
302-53-317
Codice costruttore:
IXFH26N60P
Costruttore:
IXYS
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

26A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

270mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

72nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

460W

Tensione diretta Vf

1.5V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.3 mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

16.26mm

Altezza

21.46mm

Standard automobilistico

No

Distrelec Product Id

30253317

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS


MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

Link consigliati