MOSFET IXYS, canale Tipo N 600 V, 145 mΩ Miglioramento, 50 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante IXFH50N60P3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
802-4388
Codice costruttore:
IXFH50N60P3
Costruttore:
IXYS
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Marchio

IXYS

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

600V

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

145mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Dissipazione di potenza massima Pd

1.04kW

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

94nC

Tensione diretta Vf

1.4V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

21.46mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

16.26mm

Larghezza

5.3 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Q3 IXYS


I MOSFET di potenza HiperFET™ della classe IXYS Q3 sono adatti sia alle applicazioni con modalità hard switching sia di risonanza, e offrono una carica di gate bassa con eccezionale robustezza. I dispositivi sono dotati di un diodo intrinseco rapido e sono disponibili in una varietà di contenitori standard industriali, inclusi i tipi isolati con valori nominali di fino a 1100 V e 70 A. Tra le applicazioni rientrano: convertitori cc-cc, caricabatterie, alimentatori di risonanza e switching, chopper cc, controllo dell'illuminazione e della temperatura.

Diodo raddrizzatore intrinseco rapido

RDS(on) e QG (carica gate) ridotti

Bassa resistenza di gate intrinseca

Contenitori conformi allo standard industriale

Contenitore a bassa induttanza

Alta densità di potenza

Transistor MOSFET, IXYS


Un'ampia gamma di dispositivi MOSFET di potenza discreti avanzata fornita da IXYS

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