MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 400 V, 550 mΩ Miglioramento, 10 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante
- Codice RS:
- 542-9399
- Codice costruttore:
- IRF740APBF
- Costruttore:
- Vishay
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo prodotto | MOSFET di potenza | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 10A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 400V | |
| Tipo di package | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRF740A | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 550mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 125W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 30V | |
| Tensione diretta Vf | 2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Lunghezza | 10.41mm | |
| Altezza | 9.01mm | |
| Larghezza | 4.7mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo prodotto MOSFET di potenza | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 10A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 400V | ||
Tipo di package JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRF740A | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 550mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 125W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30V | ||
Tensione diretta Vf 2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Lunghezza 10.41mm | ||
Altezza 9.01mm | ||
Larghezza 4.7mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza serie IRF740A Vishay, tensione di sorgente di drenaggio massima 400 V, corrente di drenaggio continua massima 10 A - IRF740APBF
Questo MOSFET di potenza è un transistor di commutazione a canale N ad alta tensione progettato per ambienti industriali e di automazione impegnativi. Gestisce elevate tensioni da drain a sorgente e si adatta ai circuiti che richiedono una robusta capacità di commutazione e una capacità di corrente continua moderata mentre viene montato su un formato PCB a foro passante.
Caratteristiche e vantaggi:
• La tensione nominale da drain a sorgente di 400 V fornisce capacità di commutazione ad alta tensione • La corrente di drenaggio continua di 10 A supporta l'erogazione di potenza sostenuta • La bassa Rds(on) di 550 mΩ riduce le perdite di conduzione durante il funzionamento • La dissipazione di potenza 125 W consente una gestione ad alta potenza negli assemblaggi • La carica di gate tipica di 36 nC consente un comportamento di commutazione prevedibile • La temperatura d'esercizio massima di 150 °C tollera condizioni termiche elevate
Applicazioni
• Adatto per gli stadi di potenza degli inverter e dei convertitori industriali • Ideale per la commutazione dell'azionamento del motore nei sistemi di automazione • Utilizzato con alimentatori ad alta tensione nelle apparecchiature di test • Può essere utilizzato per gli interruttori primari di alimentazione a commutazione • Adatto per la sostituzione di relè ad alta tensione e circuiti di protezione
Quale metodo di montaggio è necessario per un contatto termico affidabile?
È fornito in un contenitore a foro passante TO-220AB che consente un fissaggio sicuro del dissipatore tramite la linguetta di montaggio posteriore per un'efficace rimozione del calore.
Quanto è tollerante il gate per controllare le escursioni di tensione?
Il gate accetta fino a 30 V tra il gate e la sorgente, consentendo tensioni di azionamento del gate standard e proteggendo al contempo contro le sovratensioni.
In quale intervallo di temperatura ambientale può funzionare?
Funziona in un'ampia gamma di temperature da -55 °C fino al suo limite di giunzione massimo di 150 °C per applicazioni a temperatura elevata.
Come si comporta il dispositivo durante gli eventi di commutazione rigida?
La carica di gate specificata di 36 nC e le capacità del dispositivo definiscono le perdite di commutazione e la temporizzazione, il che aiuta a calcolare i requisiti di azionamento per le topologie di commutazione rigida.
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