MOSFET di potenza Vishay, canale Tipo N 500 V, 0.85 Ω Miglioramento, 8.7 A, 3 Pin, JEDEC TO-220AB, Foro passante

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Codice RS:
165-7113
Codice costruttore:
SIHP8N50D-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET di potenza

Massima corrente di scarico continua Id

8.7A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

500V

Tipo di package

JEDEC TO-220AB

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.85Ω

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

156W

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

30nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

9.01mm

Lunghezza

10.51mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

4.65 mm

Standard automobilistico

No

MOSFET canale N, serie D ad alta tensione, Vishay Semiconductor


Transistor MOSFET, Vishay Semiconductor


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