MOSFET Vishay, canale Tipo N 800 V, 391 mΩ Miglioramento, 8 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB11N80AE-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
210-4967
Codice costruttore:
SIHB11N80AE-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Tipo di package

TO-263

Serie

E

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

391mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

78W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

42nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

9.65 mm

Lunghezza

14.61mm

Altezza

4.06mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie e Vishay è dotato di contenitore di tipo D2PAK (TO-263) con configurazione singola.

Bassa figura di merito (FOM) Ron x Qg

Bassa capacità effettiva (Ciss)

Perdite di conduzione e commutazione ridotte

Carica del gate ultrabassa (Qg)

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

Protezione ESD con diodo Zener integrato

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