MOSFET Vishay, canale Tipo N 800 V, 290 mΩ Miglioramento, 15 A, 3 Pin, TO-263, Superficie SIHB17N80E-GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
204-7227
Codice costruttore:
SIHB17N80E-GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

15A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

SiHB17N80E

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

290mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

122nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

208W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

10.67mm

Larghezza

4.83 mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

15.88mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza serie e Vishay è dotato di un basso valore di merito (FOM) Ron x Qg e una bassa capacità di ingresso (Ciss).

Carica del gate ultrabassa (Qg)

Valore nominale dell'energia a valanga (UIS)

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