MOSFET Vishay, canale Canale N 800 V, 0.205 Ω Miglioramento, 17.4 A, 3 Pin, TO-263, Montaggio superficiale

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 nastro da 1 unità*

3,90 €

(IVA esclusa)

4,76 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 21 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Nastro/i
Per Nastro
1 - 93,90 €
10 - 492,41 €
50 - 991,87 €
100 +1,44 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
735-128
Codice costruttore:
SIHB21N80AE-T1-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo di canale

Canale N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

17.4A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

800V

Serie

SIHB21N80AE

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Montaggio superficiale

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.205Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

48nC

Dissipazione di potenza massima Pd

179W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

0.42mm

Larghezza

0.355mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
IL
Il MOSFET di potenza Vishay è progettato per un funzionamento efficiente in alimentatori e altre applicazioni, con l'obiettivo di ridurre le perdite di energia e migliorare l'affidabilità.

Contenitore D2PAK compatto per progetti salvaspazio

Perdite di commutazione e conduzione ridotte per prestazioni migliori

Link consigliati