MOSFET Vishay, canale Tipo N 200 V, 11.4 mΩ Miglioramento, 150 A, 3 Pin, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 tubo da 800 unità*

1719,20 €

(IVA esclusa)

2097,60 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 09 settembre 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
800 +2,149 €1.719,20 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
228-2986
Codice costruttore:
SUM90100E-GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

150A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Tipo di package

TO-263

Serie

TrenchFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11.4mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

72.8nC

Tensione diretta Vf

0.8V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET Vishay a canale N da 200 V (D-S).

Testato al 100% Rg e UIS

Link consigliati