MOSFET Vishay, canale Tipo N 100 V, 4.5 mΩ, 150 A, 3 Pin, TO-220, Superficie
- Codice RS:
- 225-9971
- Codice costruttore:
- SUP70042E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Prezzo per 1 bobina da 500 unità*
772,50 €
(IVA esclusa)
942,50 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 07 luglio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 500 + | 1,545 € | 772,50 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 225-9971
- Codice costruttore:
- SUP70042E-GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 150A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | N-Channel 100 V | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.5mΩ | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Tensione diretta Vf | 0.8V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 278W | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 84nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 29.51mm | |
| Altezza | 4.65mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 10.51 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 150A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie N-Channel 100 V | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.5mΩ | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Tensione diretta Vf 0.8V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 278W | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 84nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 29.51mm | ||
Altezza 4.65mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 10.51 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
Vishay Siliconix mantiene i dati di affidabilità per la tecnologia dei semiconduttori e l'affidabilità del contenitore rappresentano un composito di tutte le posizioni qualificate.
MOSFET di potenza TrenchFET
Temperatura di giunzione massima 175 °C.
Qgd molto basso riduce la perdita di potenza dal passaggio attraverso V(plateau)
Testato al 100% Rg e UIS