MOSFET Infineon 30 V, 4.5 mΩ, 150 A, TO-220, Superficie
- Codice RS:
- 258-3993
- Codice costruttore:
- IRLB4132PBF
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 258-3993
- Codice costruttore:
- IRLB4132PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 150A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 4.5mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 140W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | Lead-Free, RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 150A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 4.5mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 140W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni Lead-Free, RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza HEXFET Infineon è ottimizzato per la massima disponibilità dai partner di distribuzione. La qualificazione del prodotto secondo lo standard JEDEC.
Ottimizzato per una tensione gate-drive di 5 V
Contenitore di alimentazione a foro passante standard industriale
Contenitore con capacità di trasporto ad alta corrente
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