MOSFET Infineon, canale Tipo N 30 V, 3 mΩ Miglioramento, 150 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRLB8743PBF
- Codice RS:
- 725-9325
- Codice Distrelec:
- 304-45-308
- Codice costruttore:
- IRLB8743PBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
2,90 €
(IVA esclusa)
3,55 €
(IVA inclusa)
Aggiungi 105 unità per ottenere la consegna gratuita
In magazzino
- 60 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 4845 unità in spedizione dal 02 marzo 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 + | 0,58 € | 2,90 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 725-9325
- Codice Distrelec:
- 304-45-308
- Codice costruttore:
- IRLB8743PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 150A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 36nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 140W | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Lunghezza | 10.67mm | |
| Altezza | 9.02mm | |
| Larghezza | 4.83 mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 150A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 36nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 140W | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Lunghezza 10.67mm | ||
Altezza 9.02mm | ||
Larghezza 4.83 mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET di potenza a canale N da 30 V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Transistor MOSFET, Infineon
Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 3 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 11.1 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 11.3 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 7.6 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 11 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 20 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 4.9 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 150 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
