MOSFET Infineon, canale N 150 V, 15 mΩ Miglioramento, 85 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 178-1416
- Codice costruttore:
- IRFB4321PBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 178-1416
- Codice costruttore:
- IRFB4321PBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 85A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 15mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 350W | |
| Tensione diretta Vf | -1.2V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -30V, +30V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 71nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 4.82mm | |
| Lunghezza | 10.66mm | |
| Altezza | 9.02mm | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 85A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 15mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 350W | ||
Tensione diretta Vf -1.2V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -30V, +30V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 71nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 4.82mm | ||
Lunghezza 10.66mm | ||
Altezza 9.02mm | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, tensione massima drain-source 150 V, corrente di drenaggio continua massima 85 A - IRFB4321PBF
Questo MOSFET è un transistor di potenza a foro passante progettato per la commutazione ad alta corrente in ambienti difficili. Si tratta di un dispositivo di potenziamento a canale N fornito in un contenitore TO‐220 per un montaggio su circuito stampato semplice. Il componente supporta ampie temperature d'esercizio adatte a contesti industriali ed è conforme alla direttiva RoHS.
Caratteristiche e vantaggi:
• La dissipazione di potenza massima di 350 W consente la gestione di carichi pesanti
• Rds(on) di 15 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione
• La carica di gate tipica di 71 nC supporta il controllo rapido della commutazione
• La tensione massima gate-sorgente di 30 V consente un azionamento gate robusto
• Intervallo di funzionamento da -55 °C a 175 °C per l'uso in ambienti difficili
• Rds(on) di 15 mΩ riduce al minimo le perdite di conduzione
• La carica di gate tipica di 71 nC supporta il controllo rapido della commutazione
• La tensione massima gate-sorgente di 30 V consente un azionamento gate robusto
• Intervallo di funzionamento da -55 °C a 175 °C per l'uso in ambienti difficili
Applicazioni
• Adatto per le fasi di uscita dell'alimentazione ad alta corrente
• Ideale per gli elementi di commutazione dell'azionamento del motore
• Utilizzato con regolatori a dissipazione termica in sistemi industriali
• Può essere utilizzato per la commutazione di convertitori CC-CC
• Adatto per la sostituzione dei fori passanti nelle schede legacy
• Ideale per gli elementi di commutazione dell'azionamento del motore
• Utilizzato con regolatori a dissipazione termica in sistemi industriali
• Può essere utilizzato per la commutazione di convertitori CC-CC
• Adatto per la sostituzione dei fori passanti nelle schede legacy
Che tipo di sistema di montaggio utilizza?
È fornito in un contenitore TO‐220 progettato per il montaggio a foro passante e dissipatore.
Che tipo di canale e modalità di commutazione utilizza?
Il dispositivo è un transistor a canale N, in modalità di potenziamento, progettato per la commutazione rapida nei circuiti di potenza.
Quali sono i limiti per le tensioni di gate e di drenaggio?
Il gate può essere azionato fino a 30 V e la tensione drain-source può raggiungere 150 V.
Quanta corrente continua può gestire e qual è la capacità termica?
Supporta una corrente di drenaggio continua di 85 A con una dissipazione di potenza massima di 350 W.
Esistono considerazioni ambientali o di omologazione per l'uso?
Il componente è conforme ai requisiti RoHS e funziona in un intervallo di temperatura compreso tra -55 °C e 175 °C.
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