MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 15 mΩ Miglioramento, 85 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Codice RS:: 178-1416
Codice costruttore:: IRFB4321PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 15 mΩ Miglioramento, 85 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 tubo da 50 unità*

63,25 €

(IVA esclusa)

77,15 €

(IVA inclusa)

Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €

In magazzino

Più 350 unità in spedizione dal 31 dicembre 2025

Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".

Unità	Per unità	Per Tubo*
50 - 50	1,265 €	63,25 €
100 - 200	1,138 €	56,90 €
250 +	1,075 €	53,75 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 178-1416
Codice costruttore:: IRFB4321PBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.

Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	85A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	150V
	Serie	HEXFET
	Tipo di package	TO-220
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	15mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	71nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	350W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	30 V
	Tensione diretta Vf	-1.2V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Lunghezza	10.66mm
	Altezza	9.02mm
	Standard/Approvazioni	No
	Larghezza	4.82 mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 85A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V
	Serie HEXFET
	Tipo di package TO-220
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 15mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 71nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 350W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 30 V
	Tensione diretta Vf -1.2V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Lunghezza 10.66mm
	Altezza 9.02mm
	Standard/Approvazioni No
	Larghezza 4.82 mm
	Standard automobilistico No

IRFB4321PbF, HEXFET Power MOSFET

MOSFET per raddrizzatore sincrono c.a.-c.c. e controllo di motori, Infineon

MOSFET per controllo di motori

Infineon offre una gamma completa di dispositivi MOSFET robusti a canale N e a canale P per le applicazioni di controllo motori.

MOSFET raddrizzatore sincrono

La gamma di dispositivi MOSFET a raddrizzamento sincrono per alimentatori c.a.-c.c. supporta le richieste dei clienti in merito a sistemi con una maggiore densità di potenza, dimensioni ridotte, maggiore portabilità e flessibilità.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.