Codice costruttore

MOSFET Infineon, canale N 150 V, 42 mΩ Miglioramento, 43 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

Codice RS:: 919-4996
Codice costruttore:: IRF3415PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 150 V, 42 mΩ Miglioramento, 43 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante

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Unità	Per unità	Per Tubo*
50 - 50	1,916 €	95,80 €
100 - 200	1,686 €	84,30 €
250 - 450	1,571 €	78,55 €
500 - 950	1,456 €	72,80 €
1000 +	1,36 €	68,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:: 919-4996
Codice costruttore:: IRF3415PBF
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	43A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	150V
	Serie	HEXFET
	Tipo di package	TO-220
	Tipo montaggio	Foro passante
	Numero pin	3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	42mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	200nC
	Tensione diretta Vf	1.3V
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	-20V, +20V
	Dissipazione di potenza massima Pd	200W
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	4.69mm
	Altezza	8.77mm
	Lunghezza	10.54mm
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 43A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V
	Serie HEXFET
	Tipo di package TO-220
	Tipo montaggio Foro passante
	Numero pin 3
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 42mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 200nC
	Tensione diretta Vf 1.3V
	Minima temperatura operativa -55°C
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V
	Dissipazione di potenza massima Pd 200W
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 4.69mm
	Altezza 8.77mm
	Lunghezza 10.54mm
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico No

Paese di origine:: CN

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