MOSFET Infineon, canale N, 42 mΩ, 43 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 919-4996
Codice costruttore:: IRF3415PBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 42 mΩ, 43 A, TO-220AB, Su foro

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per Cadauno (in una stecca da 50)**

1,554 €

(IVA esclusa)

1,896 €

(IVA inclusa)

600 disponibile per la consegna entro 1 - 2 giorni lavorativi per ordini pervenuti entro le 19:00 (magazzini in Europa). Accedi e verifica i tempi di consegna nel carrello*

* Le date di consegna possono variare in base alla quantità selezionata e all'indirizzo di consegna.

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

Clicca qui per verificare la disponibilità

Unità	Per unità	Per Tubo**
50 - 50	1,554 €	77,70 €
100 - 200	1,368 €	68,40 €
250 - 450	1,275 €	63,75 €
500 - 950	1,181 €	59,05 €
1000 +	1,104 €	55,20 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 919-4996
Codice costruttore:: IRF3415PBF
Costruttore:: Infineon

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	43 A
Tensione massima drain source	150 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	42 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	200 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Materiale del transistor	Si
Carica gate tipica @ Vgs	200 nC @ 10 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+175 °C
Altezza	8.77mm
Minima temperatura operativa	-55 °C

MOSFET Infineon, canale N, 42 mΩ, 43 A, TO-220AB, Su foro

Consegna GRATUITA per ordini superiori a € 100,00

MOSFET di potenza a canale N, da 150 V a 600 V, Infineon

Link consigliati