MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 42 mΩ Miglioramento, 43 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF3415PBF

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
542-9232
Codice Distrelec:
303-41-275
Codice costruttore:
IRF3415PBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

43A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

TO-220

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

42mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

200W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

200nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

10.54mm

Larghezza

4.69 mm

Altezza

8.77mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, da 150 V a 600 V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con montaggio superficiale, terminali e fattori di forma adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

Transistor MOSFET, Infineon


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