MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V, 9.3 mΩ Miglioramento, 43 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRFI4410ZPBF
- Codice RS:
- 827-3972
- Codice costruttore:
- IRFI4410ZPBF
- Costruttore:
- Infineon
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 827-3972
- Codice costruttore:
- IRFI4410ZPBF
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 43A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 9.3mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 81nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 47W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 10.75mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 16.13mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 43A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 9.3mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 81nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 47W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 10.75mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 16.13mm | ||
Standard automobilistico No | ||
- Paese di origine:
- CN
MOSFET di potenza a canale N da 100V, Infineon
La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.
Transistor MOSFET, Infineon
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