MOSFET Infineon, canale N, 300 mΩ, 9,3 A, TO-220AB, Su foro

Codice RS:: 919-5025
Codice costruttore:: IRF630NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 300 mΩ, 9,3 A, TO-220AB, Su foro

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Codice RS:: 919-5025
Codice costruttore:: IRF630NPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 9,3 A, dissipazione di potenza massima di 82 W - IRF630NPBF

Questo MOSFET a canale N è progettato per una serie di applicazioni nei settori dell'automazione e dell'elettronica. Offre capacità di dissipazione ottimale e prestazioni efficienti, fondamentali per i sistemi ad alte prestazioni. Con una tensione massima di drain-source di 200 V e una corrente di drain continua di 9,3 A, garantisce un funzionamento affidabile in ambienti elettronici difficili.

Caratteristiche e vantaggi

• L'elevata potenza nominale supporta applicazioni elettriche estese
• Il design efficiente riduce la resistenza termica per un raffreddamento efficace
• La velocità di commutazione migliora le prestazioni dei sistemi dinamici
• I requisiti di pilotaggio semplici favoriscono l'integrazione dei circuiti
• Completamente classificato per le valanghe, è adatto alle condizioni più difficili

Applicazioni

• Utilizzato negli alimentatori industriali per mantenere stabile la regolazione della tensione
• Impiegato nei sistemi di controllo dei motori per una funzionalità efficiente
• Ideale per convertitori DC-DC e circuiti di gestione dell'alimentazione
• Utilizzato nei sistemi HVAC per controllare i motori dei compressori
• Appropriato per i sistemi di energia rinnovabile, per migliorare l'efficienza energetica

Qual è la tensione massima di gate-source che può essere applicata?

La tensione massima del gate-source è di ±20V, per garantire la compatibilità con diversi progetti di circuiti.

Come gestisce il dispositivo la dissipazione termica durante il funzionamento?

Ha una capacità di dissipazione di 82 W, che consente una gestione efficiente del calore durante l'uso.

Esiste un tipo di montaggio specifico consigliato per ottenere prestazioni ottimali?

Il MOSFET è destinato al montaggio a foro passante, che favorisce una gestione termica e una connettività elettrica affidabili.

Che tipo di applicazioni traggono vantaggio dalle sue capacità di commutazione rapida?

Le applicazioni che richiedono un funzionamento ad alta velocità, come gli alimentatori a commutazione e i convertitori compatti, traggono vantaggio dalle sue rapide velocità di commutazione.

Transistor MOSFET, Infineon

Infineon offre un'ampia gamma completa di dispositivi MOSFET che include le famiglie CoolMOS, OptiMOS e StrongIRFET. Offrono le migliori prestazioni della categoria per garantire più efficienza, densità di potenza e rapporto qualità-prezzo. I progetti che richiedono alta qualità e caratteristiche di protezione elevate traggono vantaggio dai MOSFET qualificati per gli standard del settore automobilistico AEC-Q101.

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	9,3 A
Tensione massima drain source	200 V
Tipo di package	TO-220AB
Serie	HEXFET
Tipo di montaggio	Su foro
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	300 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	82 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Massima temperatura operativa	+175 °C
Materiale del transistor	Si
Larghezza	4.69mm
Carica gate tipica @ Vgs	35 nC a 10 V
Numero di elementi per chip	1
Lunghezza	10.54mm
Altezza	8.77mm
Minima temperatura operativa	-55 °C