MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 300 mΩ Miglioramento, 9.3 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante
- Codice RS:
- 919-5025
- Codice costruttore:
- IRF630NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 tubo da 50 unità*
38,65 €
(IVA esclusa)
47,15 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 150 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
- Più 150 unità in spedizione dal 07 settembre 2026
Unità | Per unità | Per Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,773 € | 38,65 € |
| 100 - 200 | 0,611 € | 30,55 € |
| 250 - 450 | 0,572 € | 28,60 € |
| 500 - 1200 | 0,533 € | 26,65 € |
| 1250 + | 0,495 € | 24,75 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 919-5025
- Codice costruttore:
- IRF630NPBF
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 300mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 35nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 82W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Larghezza | 4.69mm | |
| Lunghezza | 10.54mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 8.77mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 300mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 35nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 82W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Larghezza 4.69mm | ||
Lunghezza 10.54mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 8.77mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 9,3 A, dissipazione di potenza massima di 82 W - IRF630NPBF
Caratteristiche e vantaggi
Applicazioni
Qual è la tensione massima di gate-source che può essere applicata?
Come gestisce il dispositivo la dissipazione termica durante il funzionamento?
Esiste un tipo di montaggio specifico consigliato per ottenere prestazioni ottimali?
Che tipo di applicazioni traggono vantaggio dalle sue capacità di commutazione rapida?
Le applicazioni che richiedono un funzionamento ad alta velocità, come gli alimentatori a commutazione e i convertitori compatti, traggono vantaggio dalle sue rapide velocità di commutazione.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 300 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRF630NPBF
- MOSFET Infineon 9.3 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante
- MOSFET Infineon 9.3 mΩ Miglioramento 3 Pin Foro passante IRFI4410ZPBF
- MOSFET Infineon 15 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 15 mΩ Miglioramento 8 Pin Superficie IRF7493TRPBF
- MOSFET Infineon 41 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 345 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 41 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie IPP410N30NAKSA1
