MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 15 mΩ Miglioramento, 9.3 A, 8 Pin, SOIC, Superficie

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Codice RS:
165-8052
Codice costruttore:
IRF7493TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

9.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

SOIC

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

15mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.3V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

2.5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

4 mm

Lunghezza

5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

1.5mm

Standard automobilistico

No

MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon


La gamma Infineon di MOSFET di potenza singoli HEXFET® comprende dispositivi a canale N con contenitori a montaggio superficiale e terminali. I fattori di forma sono adatti a quasi tutti i layout di scheda e alle sfide della progettazione termica. Il valore di riferimento della resistenza su tutta la gamma riduce le perdite di conduzione, consentendo ai progettisti di ottenere un rendimento ottimale del sistema.

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