MOSFET Infineon, canale N, 15 mΩ, 9,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Codice RS:: 165-8052
Codice costruttore:: IRF7493TRPBF
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 15 mΩ, 9,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 4000)**

0,588 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
4000 +	0,588 €	2.352,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 165-8052
Codice costruttore:: IRF7493TRPBF
Costruttore:: Infineon

IRF7493PbF N-channel HEXFET Power MOSFET
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	9,3 A
Tensione massima drain source	80 V
Serie	HEXFET
Tipo di package	SOIC
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	15 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	4V
Tensione di soglia gate minima	2V
Dissipazione di potenza massima	2,5 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Materiale del transistor	Si
Lunghezza	5mm
Larghezza	4mm
Carica gate tipica @ Vgs	35 nC a 10 V
Minima temperatura operativa	-55 °C
Altezza	1.5mm
Tensione diretta del diodo	1.3V

MOSFET Infineon, canale N, 15 mΩ, 9,3 A, SOIC, Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza a canale N, da 60V a 80V, Infineon

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