MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 9.3 mΩ Miglioramento, 89 A, 8 Pin, PG-WSON-8, Superficie BSC093N15NS5SCATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
284-645
Codice costruttore:
BSC093N15NS5SCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

89A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

PG-WSON-8

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

9.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

167W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza OptiMOS di Infineon è un MOSFET a canale N ad alte prestazioni progettato per applicazioni impegnative che richiedono un'efficienza ottimale. Con una tensione d'esercizio fino a 150 V e prestazioni termiche eccezionali. Progettato con tecnologia di raffreddamento a doppio lato, fornisce un'eccezionale resistenza termica, garantendo così un funzionamento affidabile anche in condizioni difficili. L'integrazione di elementi di progettazione innovativi riduce la resistenza e migliora l'efficienza complessiva dei sistemi di gestione dell'alimentazione. Ideale per le applicazioni industriali, la sua robusta struttura garantisce lunga durata e prestazioni affidabili.

Contenitore raffreddato a doppio lato per la gestione termica

Eccellente efficienza energetica per l'uso ad alta frequenza

Ampia gamma di temperature d'esercizio per un'affidabilità

La bassa resistenza all'accensione migliora l'efficienza energetica

Velocità di commutazione rapide per applicazioni di alimentazione avanzate

Qualificato secondo gli standard JEDEC per l'industria

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