MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V Miglioramento, 381 A, 8 Pin, PG-WSON-8, Superficie BSC009N04LSSCATMA1

Il MOSFET di potenza OptiMOS Infineon è progettato per fornire prestazioni eccezionali, il che lo rende una scelta ideale per le applicazioni industriali. Progettato con un pacchetto a doppio raffreddamento laterale, questo dispositivo eccelle in resistenza termica, garantendo prestazioni ottimali anche in condizioni difficili. Questo MOSFET è completamente qualificato secondo gli standard JEDEC, il che ne evidenzia l'affidabilità e la stabilità. Con una temperatura operativa massima di 175°C, supporta intervalli operativi estesi, rendendolo adatto a varie applicazioni che richiedono prestazioni robuste. Le caratteristiche elettriche complete convalidano il suo design per il raddrizzamento sincrono, garantendo una soluzione all'avanguardia per le moderne esigenze elettroniche.

Raffreddamento a doppio lato per una maggiore efficienza termica