MOSFET Infineon, canale Tipo N 100 V Miglioramento, 171 A, 8 Pin, PG-WSON-8, Superficie BSC023N08NS5SCATMA1

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Codice RS:
284-636
Codice costruttore:
BSC023N08NS5SCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

171A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

PG-WSON-8

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

188W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza OptiMOS di Infineon è progettato per eccellere in applicazioni impegnative che richiedono un'elevata efficienza e prestazioni robuste. Progettato con un innovativo contenitore PG WSON 8, questo transistor fornisce un'eccellente gestione termica, garantendo una dissipazione del calore ottimale durante il funzionamento. Inoltre, la sua capacità di raffreddamento a doppio lato migliora notevolmente le prestazioni termiche e l'ampia gamma di temperature d'esercizio consente una maggiore versatilità in vari ambienti. Con un'attenzione particolare all'affidabilità, questo dispositivo è stato sottoposto a test rigorosi per garantire che soddisfi i rigorosi standard di qualità previsti nelle applicazioni industriali, il che lo rende una scelta affidabile per gli ingegneri che cercano di migliorare le prestazioni del sistema gestendo al contempo i vincoli termici.

L'elevata efficienza riduce al minimo la perdita di energia

Il raffreddamento a doppio lato migliora la gestione termica

Design compatto per un'integrazione salvaspazio

Soddisfa gli standard di affidabilità elevati

Prodotto adatto a varie applicazioni industriali

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