MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 16 mΩ Miglioramento, 56 A, 8 Pin, PG-WSON-8, Superficie BSC160N15NS5SCATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
284-651
Codice costruttore:
BSC160N15NS5SCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

56A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-WSON-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

16mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

115W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza OptiMOS Infineon è progettato per fornire prestazioni eccezionali in applicazioni di commutazione ad alta frequenza. Con un robusto valore nominale di 150 V, funge da soluzione affidabile per l'elettronica industriale e automobilistica. Il contenitore PG WSON 8 con raffreddamento a doppio lato garantisce una minima resistenza termica, consentendo un'efficiente dissipazione del calore anche in condizioni di carico pesante. Progettato per il funzionamento con canale N, questo MOSFET è eccellente nella rettifica sincrona, il che lo rende ideale per le attività di gestione dell'alimentazione in cui l'efficienza e l'affidabilità sono di primaria importanza. I produttori possono fare affidamento su questo componente per soddisfare requisiti rigorosi, fornendo prestazioni efficaci e stabili in ambienti difficili.

Ottimizzato per il funzionamento ad alta frequenza

Il raffreddamento a doppio lato riduce la resistenza termica

Placcatura in cavo senza piombo per la conformità RoHS

Le eccellenti prestazioni di carica del gate aumentano l'efficienza

Ideale per applicazioni di raddrizzatura sincrona

Funziona a temperature elevate senza perdita di efficienza

Qualificato secondo gli standard JEDEC per l'industria

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