MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 16 mΩ Miglioramento, 56 A, 8 Pin, PG-WSON-8, Superficie BSC160N15NS5SCATMA1
- Codice RS:
- 284-651
- Codice costruttore:
- BSC160N15NS5SCATMA1
- Costruttore:
- Infineon
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Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
11,46 €
(IVA esclusa)
13,98 €
(IVA inclusa)
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,292 € | 11,46 € |
| 50 - 95 | 2,176 € | 10,88 € |
| 100 - 495 | 2,016 € | 10,08 € |
| 500 - 995 | 1,856 € | 9,28 € |
| 1000 + | 1,786 € | 8,93 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 284-651
- Codice costruttore:
- BSC160N15NS5SCATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 56A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Tipo di package | PG-WSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 16mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 115W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | ±20 V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS Compliant | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 56A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Tipo di package PG-WSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 16mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 115W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs ±20 V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS Compliant | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza OptiMOS Infineon è progettato per fornire prestazioni eccezionali in applicazioni di commutazione ad alta frequenza. Con un robusto valore nominale di 150 V, funge da soluzione affidabile per l'elettronica industriale e automobilistica. Il contenitore PG WSON 8 con raffreddamento a doppio lato garantisce una minima resistenza termica, consentendo un'efficiente dissipazione del calore anche in condizioni di carico pesante. Progettato per il funzionamento con canale N, questo MOSFET è eccellente nella rettifica sincrona, il che lo rende ideale per le attività di gestione dell'alimentazione in cui l'efficienza e l'affidabilità sono di primaria importanza. I produttori possono fare affidamento su questo componente per soddisfare requisiti rigorosi, fornendo prestazioni efficaci e stabili in ambienti difficili.
Ottimizzato per il funzionamento ad alta frequenza
Il raffreddamento a doppio lato riduce la resistenza termica
Placcatura in cavo senza piombo per la conformità RoHS
Le eccellenti prestazioni di carica del gate aumentano l'efficienza
Ideale per applicazioni di raddrizzatura sincrona
Funziona a temperature elevate senza perdita di efficienza
Qualificato secondo gli standard JEDEC per l'industria