MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 3.3 mΩ Miglioramento, 144 A, 8 Pin, PG-WSON-8, Superficie BSC033N08NS5SCATMA1

Il MOSFET di potenza OptiMOS Infineon è progettato con precisione per l'eccellenza nella progettazione elettronica efficiente. Questo MOSFET di potenza avanzato offre prestazioni eccezionali a 80 V, ideale per la rettifica sincrona in applicazioni impegnative come server e alimentatori desktop. Con un contenitore raffreddato a doppio lato, riduce significativamente la resistenza termica, migliorando l'affidabilità e la gestione termica. Questo prodotto si distingue per il suo robusto design testato contro le valanghe, garantendo la durata in condizioni di tensione transitoria. Beneficia di un'eccellente conduttività termica e di una struttura senza piombo che soddisfa rigorosi standard di conformità RoHS, il che lo rende non solo potente ma anche rispettoso dell'ambiente.

Contenitore raffreddato a doppio lato per la gestione termica