MOSFET Infineon, canale Tipo N 80 V, 3.3 mΩ Miglioramento, 144 A, 8 Pin, PG-WSON-8, Superficie BSC033N08NS5SCATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
284-642
Codice costruttore:
BSC033N08NS5SCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

144A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Serie

OptiMOS

Tipo di package

PG-WSON-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.3mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza OptiMOS Infineon è progettato con precisione per l'eccellenza nella progettazione elettronica efficiente. Questo MOSFET di potenza avanzato offre prestazioni eccezionali a 80 V, ideale per la rettifica sincrona in applicazioni impegnative come server e alimentatori desktop. Con un contenitore raffreddato a doppio lato, riduce significativamente la resistenza termica, migliorando l'affidabilità e la gestione termica. Questo prodotto si distingue per il suo robusto design testato contro le valanghe, garantendo la durata in condizioni di tensione transitoria. Beneficia di un'eccellente conduttività termica e di una struttura senza piombo che soddisfa rigorosi standard di conformità RoHS, il che lo rende non solo potente ma anche rispettoso dell'ambiente.

Contenitore raffreddato a doppio lato per la gestione termica

Progettato per un'elevata efficienza nella rettifica sincrona

Valida al 100% contro le valanghe per l'affidabilità

La resistenza termica superiore migliora la durata

Prestazioni nominali fino a 175 °C

Placcatura senza Pb per la conformità ambientale

Standard senza alogeni secondo IEC61249 2 21

Qualificato secondo gli standard JEDEC per l'industria

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