MOSFET Infineon, canale Tipo N 150 V, 11 mΩ Miglioramento, 77 A, 8 Pin, PG-WSON-8, Superficie BSC110N15NS5SCATMA1

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Codice RS:
284-647
Codice costruttore:
BSC110N15NS5SCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

77A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

150V

Tipo di package

PG-WSON-8

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

11mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

±20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza OptiMOS di Infineon si pone come un punto culminante delle prestazioni nel campo della tecnologia MOSFET. Progettato per applicazioni industriali impegnative, offre efficienza e affidabilità superiori, il che lo rende una scelta ideale per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona. Con l'innovativo raffreddamento a doppio lato e una capacità di temperatura d'esercizio fino a 175 °C, questo dispositivo garantisce un funzionamento robusto anche con notevoli sollecitazioni termiche. L'infusione di materiali avanzati ne migliora ulteriormente la stabilità termica e l'affidabilità, garantendo che soddisfi gli standard industriali più rigorosi. Con la sua completa convalida secondo gli standard JEDEC, questo MOSFET è su misura per gli ingegneri che cercano l'eccellenza nell'elettronica di potenza.

Eccezionale resistenza termica per l'affidabilità

Design del canale N per una commutazione versatile

Contenitore semplificato per un risparmio di spazio

Qualificato per le prestazioni delle applicazioni industriali

Ottimizzato per progetti con tecnologia ad alta frequenza

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