MOSFET Infineon, canale N 40 V, 0.7 mΩ Miglioramento, 381 A, 8 Pin, PG-WSON-8, Superficie BSC007N04LS6SCATMA1

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Codice RS:
284-634
Codice costruttore:
BSC007N04LS6SCATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

381A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PG-WSON-8

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

188W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS Compliant

Standard automobilistico

No

Il MOSFET Infineon è un transistor di potenza per applicazioni ad alte prestazioni che richiedono efficienza e affidabilità robuste. Con il suo contenitore raffreddato a doppio lato, vanta la resistenza termica più bassa alla giunzione TOP, consentendo una dissipazione del calore superiore. Il design del canale N garantisce prestazioni ottimali in applicazioni sincrone, il che lo rende una scelta ideale per i moderni sistemi di gestione dell'alimentazione. Con placcatura in piombo senza piombo e conformità RoHS. Inoltre, l'elevata resistenza alle valanghe garantisce la stabilità in condizioni difficili, mentre la temperatura d'esercizio nominale fino a 175 °C ne migliora l'usabilità in vari ambienti.

Integrazione perfetta per applicazioni sincrone

Conforme agli standard JEDEC per l'uso industriale

La gestione termica avanzata migliora la durata

Eccezionale resistenza per l'efficienza

Gestisce in modo affidabile l'elevata energia delle valanghe

Supporta un design privo di alogeni ed eco-consapevole

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