MOSFET Infineon, canale N 200 V, 300 mΩ Miglioramento, 9.3 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF630NPBF
- Codice RS:
- 543-0068
- Codice costruttore:
- IRF630NPBF
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
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- IRF630NPBF
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- Infineon
Specifiche
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Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 200V | |
| Tipo di package | TO-220 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Foro passante | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 300mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | -20V, +20V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 82W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 35nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Altezza | 8.77mm | |
| Larghezza | 4.69mm | |
| Lunghezza | 10.54mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 200V | ||
Tipo di package TO-220 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Foro passante | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 300mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs -20V, +20V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 82W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 35nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Altezza 8.77mm | ||
Larghezza 4.69mm | ||
Lunghezza 10.54mm | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 9,3 A, dissipazione di potenza massima di 82 W - IRF630NPBF
Questo MOSFET a canale N è progettato per una serie di applicazioni nei settori dell'automazione e dell'elettronica. Offre capacità di dissipazione ottimale e prestazioni efficienti, fondamentali per i sistemi ad alte prestazioni. Con una tensione massima di drain-source di 200 V e una corrente di drain continua di 9,3 A, garantisce un funzionamento affidabile in ambienti elettronici difficili.
Caratteristiche e vantaggi
• L'elevata potenza nominale supporta applicazioni elettriche estese
• Il design efficiente riduce la resistenza termica per un raffreddamento efficace
• La velocità di commutazione migliora le prestazioni dei sistemi dinamici
• I requisiti di pilotaggio semplici favoriscono l'integrazione dei circuiti
• Completamente classificato per le valanghe, è adatto alle condizioni più difficili
Applicazioni
• Utilizzato negli alimentatori industriali per mantenere stabile la regolazione della tensione
• Impiegato nei sistemi di controllo dei motori per una funzionalità efficiente
• Ideale per convertitori DC-DC e circuiti di gestione dell'alimentazione
• Utilizzato nei sistemi HVAC per controllare i motori dei compressori
• Appropriato per i sistemi di energia rinnovabile, per migliorare l'efficienza energetica
Qual è la tensione massima di gate-source che può essere applicata?
La tensione massima del gate-source è di ±20V, per garantire la compatibilità con diversi progetti di circuiti.
Come gestisce il dispositivo la dissipazione termica durante il funzionamento?
Ha una capacità di dissipazione di 82 W, che consente una gestione efficiente del calore durante l'uso.
Esiste un tipo di montaggio specifico consigliato per ottenere prestazioni ottimali?
Il MOSFET è destinato al montaggio a foro passante, che favorisce una gestione termica e una connettività elettrica affidabili.
Che tipo di applicazioni traggono vantaggio dalle sue capacità di commutazione rapida?
Le applicazioni che richiedono un funzionamento ad alta velocità, come gli alimentatori a commutazione e i convertitori compatti, traggono vantaggio dalle sue rapide velocità di commutazione.
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