MOSFET Infineon, canale Tipo N 200 V, 300 mΩ Miglioramento, 9.3 A, 3 Pin, TO-220, Foro passante IRF630NPBF

Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 unità*

1,19 €

(IVA esclusa)

1,45 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • Più 9 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
  • Più 570 unità in spedizione dal 12 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
1 - 241,19 €
25 - 491,01 €
50 - 990,95 €
100 - 2490,89 €
250 +0,85 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
543-0068
Codice costruttore:
IRF630NPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

9.3A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

200V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-220

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

300mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

82W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

35nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.54mm

Larghezza

4.69 mm

Altezza

8.77mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corrente di scarico continua massima di 9,3 A, dissipazione di potenza massima di 82 W - IRF630NPBF


Questo MOSFET a canale N è progettato per una serie di applicazioni nei settori dell'automazione e dell'elettronica. Offre capacità di dissipazione ottimale e prestazioni efficienti, fondamentali per i sistemi ad alte prestazioni. Con una tensione massima di drain-source di 200 V e una corrente di drain continua di 9,3 A, garantisce un funzionamento affidabile in ambienti elettronici difficili.

Caratteristiche e vantaggi


• L'elevata potenza nominale supporta applicazioni elettriche estese

• Il design efficiente riduce la resistenza termica per un raffreddamento efficace

• La velocità di commutazione migliora le prestazioni dei sistemi dinamici

• I requisiti di pilotaggio semplici favoriscono l'integrazione dei circuiti

• Completamente classificato per le valanghe, è adatto alle condizioni più difficili

Applicazioni


• Utilizzato negli alimentatori industriali per mantenere stabile la regolazione della tensione

• Impiegato nei sistemi di controllo dei motori per una funzionalità efficiente

• Ideale per convertitori DC-DC e circuiti di gestione dell'alimentazione

• Utilizzato nei sistemi HVAC per controllare i motori dei compressori

• Appropriato per i sistemi di energia rinnovabile, per migliorare l'efficienza energetica

Qual è la tensione massima di gate-source che può essere applicata?


La tensione massima del gate-source è di ±20V, per garantire la compatibilità con diversi progetti di circuiti.

Come gestisce il dispositivo la dissipazione termica durante il funzionamento?


Ha una capacità di dissipazione di 82 W, che consente una gestione efficiente del calore durante l'uso.

Esiste un tipo di montaggio specifico consigliato per ottenere prestazioni ottimali?


Il MOSFET è destinato al montaggio a foro passante, che favorisce una gestione termica e una connettività elettrica affidabili.

Che tipo di applicazioni traggono vantaggio dalle sue capacità di commutazione rapida?


Le applicazioni che richiedono un funzionamento ad alta velocità, come gli alimentatori a commutazione e i convertitori compatti, traggono vantaggio dalle sue rapide velocità di commutazione.


Link consigliati