MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 345 mΩ Miglioramento, 9.3 A, 3 Pin, TO-252, Superficie AUIRFR4292TRL
- Codice RS:
- 222-4614
- Codice costruttore:
- AUIRFR4292TRL
- Costruttore:
- Infineon
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Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,716 € | 17,16 € |
| 50 - 90 | 1,631 € | 16,31 € |
| 100 - 240 | 1,561 € | 15,61 € |
| 250 - 490 | 1,493 € | 14,93 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4614
- Codice costruttore:
- AUIRFR4292TRL
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 250V | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 345mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 100W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6.22mm | |
| Altezza | 2.39mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 345mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 100W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6.22mm | ||
Altezza 2.39mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono la temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, la velocità di commutazione rapida e il valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo migliorato. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.
Advanced Process Technology
Commutazione rapida a bassissima resistenza in stato attivo
Senza piombo, Conformità RoHS
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