MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 345 mΩ Miglioramento, 9.3 A, 3 Pin, TO-252, Superficie AUIRFR4292TRL
- Codice RS:
- 222-4614
- Codice costruttore:
- AUIRFR4292TRL
- Costruttore:
- Infineon
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| 50 - 90 | 1,668 € | 16,68 € |
| 100 - 240 | 1,596 € | 15,96 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 222-4614
- Codice costruttore:
- AUIRFR4292TRL
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 9.3A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 250V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 345mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 100W | |
| Tensione diretta Vf | 1.3V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 13nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6.22mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 6.73 mm | |
| Altezza | 2.39mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 9.3A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 345mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 100W | ||
Tensione diretta Vf 1.3V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 13nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6.22mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 6.73 mm | ||
Altezza 2.39mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Il MOSFET di potenza Infineon utilizza le più recenti tecniche di elaborazione per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Caratteristiche aggiuntive di questo design sono la temperatura d'esercizio della giunzione a 175 °C, la velocità di commutazione rapida e il valore nominale dell'effetto valanga ripetitivo migliorato. Queste caratteristiche si combinano per rendere questo design un dispositivo estremamente efficiente e affidabile per l'uso in applicazioni automobilistiche e un'ampia varietà di altre applicazioni.
Advanced Process Technology
Commutazione rapida a bassissima resistenza in stato attivo
Senza piombo, Conformità RoHS
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