MOSFET Infineon, canale Tipo N 250 V, 60 mΩ Miglioramento, 25 A, 5 Pin, TO-252, Superficie IPD600N25N3GATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-1948
Codice costruttore:
IPD600N25N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

250V

Tipo di package

TO-252

Serie

IPD600N25N3 G

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

60mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

0.9V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

22nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.73mm

Altezza

2.41mm

Larghezza

7.47 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Infineon IPD600N25N3 G è un prodotto OptiMOS 250V con tecnologie di benchmark ad alte prestazioni, perfettamente adatto per la rettifica sincrona in sistemi 48V, convertitori c.c.-c.c., gruppi di continuità (UPS) e inverter per azionamenti per motori c.c.

R DS(on) più basso del settore

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