MOSFET Infineon, canale N 250 V, 60 mΩ Miglioramento, 25 A, 5 Pin, TO-252, Superficie IPD600N25N3GATMA1
- Codice RS:
- 171-1948
- Codice costruttore:
- IPD600N25N3GATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 confezione da 10 unità*
21,63 €
(IVA esclusa)
26,39 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
- 8440 unità in spedizione dal 23 ottobre 2026
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | 2,163 € | 21,63 € |
| 20 - 40 | 1,774 € | 17,74 € |
| 50 - 90 | 1,664 € | 16,64 € |
| 100 - 240 | 1,557 € | 15,57 € |
| 250 + | 1,427 € | 14,27 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 171-1948
- Codice costruttore:
- IPD600N25N3GATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 25A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 250V | |
| Tipo di package | TO-252 | |
| Serie | IPD600N25N3 G | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 5 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 60mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 22nC | |
| Tensione diretta Vf | 900mV | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 136W | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 2.41mm | |
| Lunghezza | 6.73mm | |
| Larghezza | 7.47mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 25A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 250V | ||
Tipo di package TO-252 | ||
Serie IPD600N25N3 G | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 5 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 60mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 22nC | ||
Tensione diretta Vf 900mV | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 136W | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 2.41mm | ||
Lunghezza 6.73mm | ||
Larghezza 7.47mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon IPD600N25N3 serie G, tensione massima della sorgente di drenaggio di 250 V, corrente di drenaggio continua massima di 25 A - IPD600N25N3GATMA1
Caratteristiche e vantaggi:
• L'RDS(on) di 60 mΩ riduce le perdite di conduzione per una maggiore efficienza
• La corrente di drenaggio continua di 25 A supporta il funzionamento a carico sostenuto
• La carica di gate tipica di 22 nC consente un controllo di commutazione efficace
• La tensione diretta di 0.9 V riduce al minimo le perdite di conduzione del diodo
• La dissipazione di potenza massima di 136 W consente una gestione ad alta potenza
Applicazioni
• Ideale per gli interruttori inverter con azionamento a motore
• Utilizzato con alimentatori di commutazione per la commutazione primaria
• Può essere utilizzato per la gestione della batteria e la distribuzione dell'alimentazione
• Adatto per azionamenti a relè e a solenoide ad alta tensione
Quale ambiente termico può tollerare durante il funzionamento?
Come è destinato a essere montato su gruppi?
Quali limitazioni del gate drive devono essere rispettate?
Quanti collegamenti elettrici sono disponibili per il layout del circuito?
Link consigliati
- MOSFET Infineon 60 mΩ Miglioramento 5 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 345 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 345 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie AUIRFR4292TRL
- MOSFET Infineon 210 mΩ Miglioramento TO-252, Superficie
- MOSFET Infineon 1.7 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3.8 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 8 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 3.4 mΩ Miglioramento 3 Pin Superficie
