MOSFET Infineon, canale N, 3,8 mΩ, 90 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Codice RS:: 178-7369
Codice costruttore:: IPD025N06NATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 3,8 mΩ, 90 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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Codice RS:: 178-7369
Codice costruttore:: IPD025N06NATMA1
Costruttore:: Infineon

IPD025N06N OptiMOS Power-Transistor

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	90 A
Tensione massima drain source	60 V
Serie	OptiMOS™ 5
Tipo di package	DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	3,8 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Dissipazione di potenza massima	167 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	-20 V, +20 V
Lunghezza	6.73mm
Materiale del transistor	Si
Massima temperatura operativa	+175 °C
Carica gate tipica @ Vgs	71 nC a 30 V
Numero di elementi per chip	1
Larghezza	6.22mm
Altezza	2.41mm
Minima temperatura operativa	-55 °C
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET Infineon, canale N, 3,8 mΩ, 90 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

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MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™5

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