MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 3.8 mΩ Miglioramento, 90 A, 3 Pin, TO-252, Superficie IPD90N04S4L04ATMA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-1837
Codice costruttore:
IPD90N04S4L04ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Serie

IPD

Tipo di package

TO-252

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.8mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

71W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

46nC

Tensione diretta Vf

1.3V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

6.5mm

Standard/Approvazioni

No

Altezza

2.3mm

Larghezza

6.22 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il MOSFET di potenza di livello normale a canale N Infineon è utilizzato per applicazioni automobilistiche. Ha le perdite di potenza di conduzione e commutazione più basse per la massima efficienza termica. Si tratta di contenitori robusti con qualità e affidabilità superiori.

È conforme alla direttiva RoHS e certificato AEC

Ha una temperatura d'esercizio di 175 °C.

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