MOSFET Infineon, canale Tipo N 60 V, 3.5 mΩ Miglioramento, 90 A, 3 Pin, TO-252, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 2500 unità*

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2475,00 €

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Codice RS:
215-2519
Codice costruttore:
IPD90N06S4L03ATMA2
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

90A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

TO-252

Serie

OptiMOS-T2

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.3V

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

170nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transistor di potenza Infineon OptiMOS®-T2 è dotato di un MOSFET per uso automobilistico con tensione di sorgente massima di drain di 60V, N-CH, con contenitore DPAK(TO-252).

Canale N - modalità potenziata

Qualifica per uso automobilistico AEC Q101

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

RDSon ultra basso

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